SYSCOM
Torre Autosoportada de 19.5 m de altura, 8 Secciones Prearmadas. Galvanizada en Caliente.
Aplicaciones Sistemas de Telecomunicaciones Redes Inalámbricas Videovigilancia Enlaces punto a punt..
$97,166.21
Torre Autosoportada de 9.8 m, 4 Secciones Prearmadas. Galvanizada en Caliente (6 ft² @ 70.7 MPH).
Aplicaciones Sistemas de Telecomunicaciones Redes Inalámbricas Videovigilancia Enlaces punto a punt..
$66,329.85
Torre Autosoportada de 14.6 m, 6 Secciones Prearmadas. Galvanizada en Caliente (6 ft² @ 70.7 MPH).
Aplicaciones Sistemas de Telecomunicaciones Redes Inalámbricas Videovigilancia Enlaces punto a punt..
$58,361.08
Torre Autosoportada Ligera GTBX de 17 m de altura, Secciones 2 a 8 Prearmadas. Sin Mástil. Inmersión en Caliente.
Aplicaciones Sistemas de Telecomunicaciones Redes Inalámbricas Videovigilancia Enlaces punto a punt..
$118,745.74
Torre Autosoportada Ligera TBX de 7.3 m de altura, Secciones 6 a 8 Prearmadas. Sin Mástil.
La Línea de Torres Ligeras BX Autosoportadas están diseñadas para uso en: Sistemas de Telecomunicac..
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Transformador Variable de 10 Amp 24 Vca.
Especificaciones Producto: Transformador Variable de 10 Amp 24 Vca. Marca: SYSCOM Modelo: GRT2410..
$2,130.61
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.
Características Principales Transistor NPN epitaxial de silicio Frecuencia máxima de operación 30 M..
$737.76
Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA .
Características Principales Voltaje colector-base máximo: 500 V Corriente colector máxima: 15 A Pot..
$83.12
Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.
Transistor de Potencia MOSFET Tipo: Canal P Voltaje: 50 Volt Corriente: 18 Amp. Rds: 0.14 Ohm Poten..
$82.89
Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.
Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04. CARAC..
$62.34
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E Transistor NPN epitaxial de sili..
$1,528.24
Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.
Características Principales Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF Frecuencia de operación ..
$248.23
Transistor de Silicio NPN, 30 Vce, 15 Amp., 115 Watt, Paquete TO-3.
Características PrincipalesTransistor de Silicio NPNVoltaje Colector-Emisor (Vceo): 60 VCorriente Co..
$59.21
Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.
Características Principales Transistor de silicio NPN de alta frecuencia Rango de frecuencias: 30-5..
$1,303.70
Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A.
Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A. Marca:..
$68.59
Transistor Diodo SCR para 25 Amper, 100 Volt, 20 Watt, TO-220AB, para Fuentes SECOM-11
Características Principales Diseñado para aplicaciones de control AC de media onda Unión de paso de..
$81.55
Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18.
Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18. Características Principales Tr..
$49.15
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.
Características Principales Transistor NPN de potencia RF de silicio Frecuencia operativa de hasta ..
$517.46
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01.
Características Principales Transistor NPN de potencia RF Frecuencia de operación: 470 MHz Ganancia..
$716.98
Transistor NPN, VCE 60 V, 1 Amp., TO-220.
Especificaciones Tipo: Transistor NPN VCE: 60 V Corriente: 1 Amp. Encapsulado: TO-220 Marca: SYSCOM..
$44.46
Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.
Características Principales Transistor NPN de silicio con 100 VCE Alta corriente de 4 Amperios Frec..
$88.70